Legt man eine pos. Spannung an das Gate, dann werden die wenigen Elektronen des p-Bereichs in den Kanalbereich unterhalb der Gateisolation gezogen. Dort sammeln sich mit größer werdender Spannung mehr und mehr Elektronen, bis dort mehr Elektronen als Störstellen vorhanden sind. Diese Schicht nennt man Inversionsschicht. Damit sind die pn-Übergänge aufgelöst und zwischen Drain und Source kann ein Strom fließen. Erhöht man nun die Spannung zwischen Drain und Source Uds, dann kommt es durch Spannungsabfälle in der Kanalzone zur Abschnürung. Ab einer gewissen Stelle wird der Leitfähige Bereich fast 0. Da aber dort relativ hohe Feldstärken vorherrschen, werden die Elektronen stark beschleunigt (nehmen relativ viel Energie auf), wodurch es ihnen möglich ist über die sehr dünne Isolationsschicht in das Floating Gate zu wechseln. Dort bleiben die Elektronen bis zu 30 Jahre gefangen. Dadurch wird dieses Floating Gate negativ aufgeladen, wodurch es bei normalen Spg. Ugs, nicht mehr möglich ist, die Inversionsschicht zu erzeugen. Der Transistor bleibt also Hochohmig.
Die Elektronen des Floating Gates können durch UV Licht wieder befreit werden uns somit das Floating Gate entladen werden.
Habe eine ganz gute Anleitung gefunden, wie man sich ziemlich einfach Klingeltöne fürs iPhone erstellen kann.
